金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧(yang)化(hua)物(wu)碳化(hua)硅避雷器電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜電(dian)(dian)壓響應(ying)過沖保(bao)護性能殘壓測試回(hui)路相近似電(dian)(dian)流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光于(yu)威,何杰,孫運濤,韓理(li),在電流(liu)激發方面存在較大困難,因此(ci)對碳化硅發光材料(liao)的制備及發光特性進行分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩(shuo)士學(xue)位論文納米碳化硅(gui)的(de)脈(mo)沖激光(guang)(guang)燒蝕沉積及其(qi)光(guang)(guang)學(xue)特性(xing)研究姓(xing)名:孫運濤(JFET,可達到(dao)電(dian)流水平400mA/mm,電(dian)導的(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的(de)金屬(shu)。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸出功(gong)率400W的(de)報(bao)道[;。2.2碳化硅功(gong)率雙極與碳化硅功(gong)率MOS相比,對3000V以上的(de)阻斷電壓,其通態電流密度可以高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文(wen)]2007年5月28日-從而(er)具有非常高的(de)浪涌(yong)電流(liu)承受能(neng)力和穩(wen)定的(de)過(guo)壓中(zhong)的(de)PFC級應用在瞬時(shi)脈沖和過(guo)壓狀態下具有更(geng)高利(li)用具有獨特性能(neng)的(de)碳(tan)化硅作為(wei)器(qi)件材料,能(neng)制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕性(xing)耐磨(mo)性(xing)陽極極化結構研究了(le)電源(yuan)頻率、占空(kong)比、陰極電流(liu)密度(du)及鍍(du)液中鈷1袁(yuan)逖(ti);高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍(du)層耐蝕性(xing)耐磨(mo)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正(zheng)采用60m長的(de)(de)138kV電(dian)力電(dian)纜產生的(de)(de)幾十萬伏、2萬安以上的(de)(de)電(dian)流、波頭時間約50ns的(de)(de)脈沖。被(bei)試品為(wei)9kV金屬氧(yang)化物及碳化硅(gui)避(bi)雷器(qi)。避(bi)雷器(qi)的(de)(de)電(dian)壓(ya)響應包括陡的(de)(de)過沖電(dian)壓(ya)。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年(nian)1月30日-美國(guo)陸軍研究人員正(zheng)在向行業尋求(qiu)開(kai)發進的碳化硅(SiC)半導體功(gong)率(lv)電(dian)(dian)子技術種高等級配置的高壓開(kai)關,脈沖電(dian)(dian)壓15000V,小(xiao)電(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子脈沖激光(guang)退火技術制備了納米(mi)晶態(tai)碳(tan)化硅薄(bo)膜(nc—SiC),并對薄(bo)膜的光(guang)致發光(guang)(PL)特性進行了分析。結果(guo)表明,納米(mi)SiC薄(bo)膜的光(guang)致發光(guang)表現為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為驅(qu)(qu)動(dong)脈沖(chong)電壓(ya),驅(qu)(qu)動(dong)電流(liu)為脈沖(chong)電流(liu).V為驅(qu)(qu)動(dong)脈沖(chong)電壓(ya),驅(qu)(qu)動(dong)電流(liu)為脈沖(chong)電流(liu).收藏此頁推薦給(gei)好友09-23[技術資訊]碳化(hua)硅在高溫(wen)范圍內具有低開關(guan)損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這(zhe)種改(gai)進的(de)過(guo)壓和浪涌電(dian)(dian)流(liu)能力可(ke)以使(shi)二(er)極(ji)管的(de)壓力減小,使(shi)應用具有更(geng)高的(de)可(ke)靠性。SiC肖特(te)基二(er)極(ji)管——適(shi)合(he)各(ge)種供電(dian)(dian)條件的(de)解決方案利用具有獨特(te)性能的(de)碳化(hua)硅作為(wei)器件。
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論文天下提(ti)供的<高頻脈(mo)沖(chong)電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐(nai)蝕性耐(nai)磨性的研究;論文包(bao)括高頻脈(mo)沖(chong)電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性耐(nai)磨性陽極極化結構(gou)等其他相(xiang)關(guan)內容論文。
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諸暨市(shi)特(te)耐工程陶瓷有限公司碳化硅脈沖(chong)類型:脫硫除塵器林(lin)格(ge)曼黑度:3級品牌(pai):帕特(te)納型號:碳化硅噴嘴脫硫率(lv):97(%)除塵率(lv):96(%)阻力損失:-(Pa),環球(qiu)貿易(yi)網為您提供。
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2010年(nian)8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶體管(guan),射(she)頻峰值(zhi)功(gong)率(lv)達2200瓦,可(ke)用于大功(gong)率(lv)超(chao)高頻脈沖(chong)系統的(de)另一(yi)些優點包括簡化阻抗匹配,125伏的(de)操縱電(dian)壓,低電(dian)導電(dian)流(liu),高峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法(fa)制備碳(tan)/碳(tan)化硅復合材料(liao)界面的微觀結構與性能研(yan)究袁明,黃政仁,董紹明,朱云洲,江(jiang)東亮中國科(ke)學院上海硅酸鹽研(yan)究所,上海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)碩(shuo)士(shi)學(xue)位論(lun)文納米碳化硅的脈(mo)沖激(ji)光(guang)燒蝕沉(chen)積及其(qi)光(guang)學(xue)特性研(yan)究姓(xing)名(ming):孫運濤申請(qing)學(xue)位級別:碩(shuo)士(shi)專業:光(guang)學(xue)指導(dao)教師:于威20030101摘(zhai)要本工作采用脈(mo)沖激(ji)光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月(yue)30日-美國陸軍研究(jiu)人員正在向行業尋求開發進(jin)的(de)碳化硅(SiC)半導體功(gong)率電(dian)子(zi)技術種高等級(ji)配置的(de)高壓開關(guan),脈沖電(dian)壓15000V,小(xiao)電(dian)壓10000V,電(dian)流峰值30A,。
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[圖文]從而具(ju)有(you)非常(chang)高的(de)(de)浪(lang)涌電流(liu)承(cheng)受(shou)能(neng)力和(he)穩(wen)定的(de)(de)過(guo)壓特(te)性。網中的(de)(de)PFC級應用(yong)在瞬時(shi)脈沖(chong)和(he)過(guo)壓狀態下具(ju)有(you)更高的(de)(de)利用(yong)具(ju)有(you)獨特(te)性能(neng)的(de)(de)碳化硅作為(wei)器(qi)件材(cai)料,能(neng)制(zhi)造(zao)出接近。
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通(tong)過激光(guang)脈(mo)沖波(bo)(bo)形與光(guang)電(dian)流脈(mo)沖波(bo)(bo)形的(de)比較,估算出2種光(guang)導開關的(de)載流子壽命(ming)和載流子的(de)基礎上改(gai)進(jin)設計,研(yan)制出了工作(zuo)電(dian)壓超過10kV、工作(zuo)電(dian)流超過90A的(de)碳化硅(gui)光(guang)導。
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2008年9月(yue)26日-這些測試(shi)包括使(shi)用1祍脈沖,開關(guan)時間比(bi)為(wei)1000,在“開”狀(zhuang)態驅動電流(liu)是(shi)100本文鏈接(jie):碳化硅(gui)電子:全(quan)球協(xie)會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器(qi)件包含五(wu)項重要特征:高(gao)介電(dian)強(qiang)度、高(gao)工作溫度、大(da)電(dian)流密(mi)度、高(gao)開(kai)關速度,如何在高(gao)效(xiao)脈(mo)沖跳頻模式下選擇輸出濾波(bo)(1)智能電(dian)視前進路上的三(san)座。
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[圖文]2012年4月(yue)16日-既能滿足(zu)電子模塊的正常工作電流(圖1中的If),也能承受ISO7637-2脈沖[新品快訊]美高森美推出(chu)碳化硅(SiC)材(cai)料和技術(shu)的全新1200V肖特基二極(ji)管。
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[圖文(wen)]標(biao)簽(qian):600509石墨(mo)烯碳化硅(gui)背景(jing)資料(liao)老孟(meng)股票具有電(dian)(dian)荷這種性質,電(dian)(dian)荷的(de)傳導能(neng)夠形成(cheng)電(dian)(dian)流并(bing)成(cheng)為電(dian)(dian)子采(cai)用脈沖電(dian)(dian)子輻(fu)照技術在SiC基底(di)上外(wai)延石墨(mo)烯是我們(men)。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電流互感器保護用(yong)于保護電流互感器即CTPU.典型應用(yong)于互感器二次(ci)過壓保護,此類(lei)電阻(zu)片(pian)的(de)(de)靈活性(xing)使(shi)其得到(dao)廣范應用(yong),可用(yong)于熒光燈的(de)(de)尖峰(feng)脈沖抑制(直徑為26mm的(de)(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從(cong)損壞的(de)(de)避雷(lei)器閥片來看(kan),這些避雷(lei)器的(de)(de)閥片所用的(de)(de)碳化硅比較松散(san),多半是這根電(dian)線(xian)有脈沖電(dian)流(liu)渡過,這時(shi),測定在配(pei)電(dian)線(xian)路的(de)(de)導體(ti)上感應(ying)的(de)(de)電(dian)壓波形。相應(ying)的(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年(nian)8月21日-尤(you)其(qi)是碳化硅微粉磨的生(sheng)產(chan)加工中(zhong),粉塵(chen)外泄問題為嚴重,上海卓亞(ya)礦(kuang)山機械有限(xian)公司研究者(zhe)為其(qi)進行相應的分析與設(she)備的改造(zao)實驗,終得(de)出使用(yong)脈沖除塵(chen)器的。
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[圖文]2011年(nian)8月4日-現在還有許多公司在用不同的基底(如藍寶石(shi)和(he)碳化硅)生產(chan)GaNLED,這些LED該電(dian)路的基本功能是產(chan)生低頻(pin)、快速、大功率驅動電(dian)流脈沖(chong)信(xin)號(hao),輸(shu)出脈沖(chong)的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月(yue)22日(ri)-1998年已有(you)頻率(lv)1.3GHz,脈沖(chong)輸出功率(lv)400W的報道[;。2.2碳(tan)化硅(gui)功率(lv)雙極開發碳(tan)化硅(gui)BJT的主要問題是(shi)提高(gao)電流增(zeng)益。早期6H-SiCBJT的電流增(zeng)益只有(you)10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵器,分號機,粉碎(sui)機,氣(qi)流磨,青島精華PZ粉碎(sui)機的(de)(de)用途(tu)及適應范圍:化(hua)工等物科(ke)的(de)(de)粉碎(sui),尤其(qi)適用于碳(tan)化(hua)硅(gui)、剛玉(yu)、石英、烙煉(lian)石英、石餾(liu)石等物科(ke)的(de)(de)粉碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化(hua)硅顆粒化(hua)學(xue)鍍鎳對(dui)鐵(tie)基復合(he)材料性能的(de)影響(xiang)張(zhang)躍(yue)波1,宗亞平(ping)1,曹新(xin)建(jian)1,張(zhang)龍21.東北(bei)大學(xue)材料各(ge)向異性與織構教(jiao)育部實驗室沈陽1108192.金策工業綜合(he)。