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沖旋制粉機組對硅粉的提純效果-期刊論文-道客巴巴

從表1可以看出,采(cai)用沖旋法制得(de)的硅(gui)粉的比表面積。2.3制粉工藝對硅(gui)粉粒(li)徑(jing)的影響目前,工業上甲(jia)基氯硅(gui)烷(wan)的合(he)成是通過硅(gui)粉和(he)氯甲(jia)烷(wan)在流化態反應(ying)器中連(lian)續。

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摘要:沖旋制硅粉(fen)技術(shu)運用其選(xuan)擇(ze)性粉(fen)碎的功能,使硅粉(fen)的品位比硅原(yuan)料高(gao),產品增(zeng)值,卻沒有增(zeng)高(gao)成本。作者(zhe)單位:浙江永博(bo)硅業有限公司;浙江省冶金研究院;。

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2013年8月3日(ri)-以硅塊為質料(liao)制(zhi)取硅粉的辦(ban)法(fa)(fa)(fa)許多(duo)。其間作用(yong)較好、使(shi)用(yong)較多(duo)的是(shi)雷蒙法(fa)(fa)(fa),對輥法(fa)(fa)(fa)、盤磨(mo)法(fa)(fa)(fa)和沖旋法(fa)(fa)(fa)。所用(yong)設備相應是(shi)雷蒙法(fa)(fa)(fa)、對輥機(ji)、盤磨(mo)機(ji)(也(ye)稱立磨(mo))。

沖旋制粉機組對硅粉的提純效果-《有機硅材料》2011年04期

利用機械旋(xuan)轉以及(ji)粒子之間的(de)相互作用產生的(de)巨8浙江(jiang)②對(dui)不同參數反應條(tiao)件下制(zhi)各的(de)納(na)米硅粉進行電子透鏡(5%)對(dui)爐管進行沖(chong)洗,然后用清(qing)水沖(chong)洗,加熱(re)烘干。

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采取硅粉(fen)溶(rong)解(jie)法,以氫氧化鈉作催化劑(ji)制(zhi)備硅溶(rong)膠。通過正(zheng)交實(shi)驗(yan),找出的實(shi)驗(yan)方案(an),即反應(ying)溫度為65-90℃,反應(ying)時間為8h,即可制(zhi)得SiO2含量在30%以上(shang),收率在80%以上(shang)。

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熱管(guan)、高硅鋁擠(ji)壓(ya)棒等(deng)擠(ji)壓(ya)制品(pin);大直接薄壁鎳基合(he)金管(guan)、5B02管(guan)等(deng)旋壓(ya)制品(pin);鈦首頁公司介紹(shao)供應產品(pin)采購清單新聞榮譽(yu)資質聯系方式。

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硅溶膠制備硅粉(fen)正交設計即可制得SiO2含量在30%以上,收率(lv)在80%硅粉(fen)溶解(jie)法制備硅溶膠的(de)新(xin)工藝(yi)姜德源劉繼;孫沖;孫雪峰;梁瓊麟;井樂剛。

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高(gao)品級碳化(hua)硅微粉制(zhi)各設(she)備關(guan)鍵技術的研究目前,全世(shi)界顆(ke)粒與(yu)機體之間產(chan)生相互沖(chong)6圖1l扁平式氣流粉碎機1.粘性流動的三個主(zhu)要特征是流動的有旋性、渦量(liang)的。

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硅粉溶解法制備硅溶膠的新工藝-《哈爾濱師范大學自然科學學報》

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粉(fen)(fen)(fen)(fen)料再經蒸(zheng)餾水(shui)沖洗、烘(hong)干,在400~500℃內氧化(hua)處(chu)理用于制備(bei)烷基-或芳基-鹵代硅(gui)烷的活(huo)性(xing)硅(gui)粉(fen)(fen)(fen)(fen)的生產方(fang)法一(yi)種新(xin)的激(ji)光制氮化(hua)硅(gui)粉(fen)(fen)(fen)(fen)末的方(fang)法及(ji)裝置含有微(wei)粉(fen)(fen)(fen)(fen)硅(gui)膠。

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本發明公開了一種利(li)用脈石英(ying)制備(bei)高(gao)純超(chao)細硅(gui)微(wei)粉的方(fang)法,該方(fang)法包括(kuo)先把脈石英(ying)煅燒、水淬后,用高(gao)壓擺式磨粉機(雷蒙機)研磨成0.5-5微(wei)米的粉體(ti)后,再提(ti)純制得高(gao)純。

供應氫氣粉制氫氣專用鐵粉,制氫氣用硅粉13569014073(圖)-氫氣粉

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以含粘(zhan)土硅藻土為原料,通過物理提(ti)純(包括擦(ca)洗、磨礦(kuang)、沉降分離)可制得精(jing)土;精(jing)仇山酸化鈣基膨(peng)潤土的(27)Al和(29)Si魔角旋(xuan)轉核(he)磁共振(zhen)譜(pu)及脫色率研究[J。

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碳化硅微粉-碳化硅陶瓷資料_碳化硅微粉-碳化硅陶瓷資料

公(gong)開了一(yi)種(zhong)旋涂(tu)玻璃(SOG)組合(he)(he)物(wu)(wu)和利用SOG組合(he)(he)物(wu)(wu)形成氧化硅(gui)層的(de)方法。該方法包括在具有(you)(you)表面不連續的(de)半導體襯底上(shang)涂(tu)敷SOG組合(he)(he)物(wu)(wu),SOG組合(he)(he)物(wu)(wu)包含具有(you)(you)化合(he)(he)物(wu)(wu)化學式-(。

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多年來硅粉這一老(lao)大難的(de)問題一直(zhi)困(kun)擾著廣大硅生(sheng)產(chan)企業和經營硅的(de)老(lao)板(ban)。1.硅粉的(de)生(sheng)產(chan)工藝以(yi)硅塊為(wei)原料制取硅粉的(de)方法(fa)很(hen)多。活(huo)性好的(de)表現有兩(liang)方面:一是反應迅速(su),。

硅粉溶解法制備硅溶膠的新工藝-《哈爾濱師范大學自然科學學報》

用熱壓燒結(HotPressedSintering,HPS.SiC)工藝可以(yi)制(zhi)得(de)接近理(li)論密(mi)度(其(qi)氣孔率低于沖2通過低壓燒結得(de)到(dao)晶(jing)粒度為(wei)(wei)350nm的(de)超細硬質WC.Co,其(qi)抗彎強(qiang)度為(wei)(wei)3810。

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