碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等(deng)離子發射光譜法微(wei)量(liang)(liang)雜(za)質(zhi)元素(su)測定微(wei)電子工業發動機雜(za)質(zhi)分析高溫技術(shu)聚(ju)變裝置微(wei)量(liang)(liang)元素(su)。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲化(hua)鉛(PbTe)、砷(shen)化(hua)銦(InAs)、硫(liu)化(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等(deng)。與金屬材料不同,半導體(ti)中雜(za)質含量和外(wai)界條件的(de)改變(如溫度變化(hua)、受光照(zhao)射等(deng)),都會(hui)使半導體(ti)的(de)。
碳化硅_百度百科
怎樣(yang)去(qu)除(chu)碳(tan)化(hua)硅(gui)制品中(zhong)的(de)雜(za)質沒(mei)有(you)(you)任何一件事(shi)物是(shi)沒(mei)有(you)(you)雜(za)質的(de),即便是(shi)很多化(hua)學原(yuan)料或者經過多重步驟產生的(de)高科技產品,所以,目(mu)前市場上(shang)出現(xian)的(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)產品也有(you)(you)很多雜(za)質。但(dan)是(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明(ming)涉及一種應(ying)用X射線(xian)熒光(guang)光(guang)譜法檢測(ce)碳(tan)化硅雜質含量的方(fang)法,其步驟如下:1、制備(bei)測(ce)試樣(yang)(yang)片;2、制備(bei)標準(zhun)樣(yang)(yang)片:①提純碳(tan)化硅的制樣(yang)(yang);②碳(tan)化硅提純,制備(bei)出純品(pin)碳(tan)化硅;③。
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現(xian)在的原(yuan)料主要成分是硅(gui)和(he)碳化(hua)硅(gui)的混(hun)合物,里面含有少(shao)量(liang)鐵(tie)雜質,怎樣除去鐵(tie),請(qing)各位賜(si)教,謝(xie)謝(xie)。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日(ri)-碳(tan)化硅(gui)晶體中的(de)雜質是:鐵(tie)、鋁、鈣、鎂、硅(gui)等(deng)的(de)氧(yang)化物和碳(tan)化物,以及它們的(de)共(gong)熔(rong)物。這些雜質在冶煉爐(lu)熱動力條(tiao)件(jian)下,溫度在2100——2200℃時(shi)被(bei)蒸(zheng)發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化(hua)硅因其相較α-碳化(hua)硅擁有更高的(de)(de)比表面積,所以可用于非均(jun)相催(cui)化(hua)劑的(de)(de)負載體。純(chun)的(de)(de)碳化(hua)硅是無色的(de)(de),工(gong)業用碳化(hua)硅由于含有鐵等雜質(zhi)而呈現棕色黑色晶體。
介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠
開始時(shi)間(jian):結束時(shi)間(jian):雜(za)質碳(tan)(tan)加(jia)工(gong)工(gong)藝-催(cui)化(hua)劑,二氧化(hua)碳(tan)(tan),碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui),X射線(xian),生產碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)版的出價/購(gou)(gou)買(mai)(mai)記錄Top一口價:元(yuan)該物品已下(xia)架立即購(gou)(gou)買(mai)(mai)。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)熱(re)率(lv):碳(tan)化(hua)硅(gui)制品的(de)導(dao)熱(re)率(lv)非常非常高(gao),熱(re)膨(peng)脹參(can)數小巧,抗熱(re)震(zhen)性非常非常高(gao),是優質的(de)耐(nai)火(huo)材(cai)料。3、電(dian)學(xue)屬性恒溫下工(gong)業碳(tan)化(hua)硅(gui)是一種半導(dao)體,屬雜(za)質導(dao)電(dian)性。高(gao)純(chun)度。
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阿(a)里巴巴供應綠色碳(tan)化(hua)硅(gui)雜質少硅(gui)含量(liang)98.5河南SIC碳(tan)化(hua)硅(gui)生產基地(di),研(yan)磨材料,這(zhe)里云集了眾多(duo)的供應商(shang),采(cai)購商(shang),制造(zao)商(shang)。這(zhe)是供應綠色碳(tan)化(hua)硅(gui)雜質少硅(gui)含量(liang)98.5河南。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
馬(ma)可波(bo)羅(luo)網(makepolo.)提(ti)供溫(wen)縣(xian)華泰果殼(ke)研(yan)磨濾料廠相關(guan)企業(ye)介紹及產品信息主要以綠色碳化(hua)硅(gui)(gui)硬度(du)高,雜(za)質少硅(gui)(gui)含量98.5優質碳化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料為主,還包括了綠色碳化(hua)硅(gui)(gui)。
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舉報(bao)文(wen)(wen)檔(dang)介紹(shao)暫無描述文(wen)(wen)檔(dang)分類待分類文(wen)(wen)檔(dang)格式(shi).pdf文(wen)(wen)檔(dang)標簽(qian)加熱棒碳化硅石墨雜質數值溫度評(ping)論評(ping)論的時候,請遵(zun)紀守(shou)法(fa)并(bing)注(zhu)意語言文(wen)(wen)明,多給文(wen)(wen)檔(dang)。
碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)化(hua)硅(gui)中雜質(zhi)的(de)形(xing)態-碳(tan)化(hua)硅(gui)中雜質(zhi)的(de)形(xing)態碳(tan)化(hua)硅(gui)的(de)研發成功并很好的(de)利用是市場發展過程(cheng)中的(de)一大進步點,特別(bie)是對(dui)于1893年艾奇遜(xun)的(de)發明為引(yin)子(zi),由此推(tui)出的(de)國(guo)內由趙廣(guang)和(he)。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年6月14日-碳(tan)化(hua)硅在(zai)現代工業生產(chan)中的應用范圍(wei)比(bi)較(jiao)(jiao)廣泛,比(bi)較(jiao)(jiao)為人們(men)所了解的是(shi)應用于磨料(liao)、磨具領域。但是(shi)隨著科學技(ji)術的進(jin)步,人們(men)對碳(tan)化(hua)硅的認識也逐漸深入,由此(ci)開發。
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碳(tan)化硅(SiC)是用(yong)石(shi)英砂、石(shi)油焦(jiao)(或煤焦(jiao))、木屑為原料通過電(dian)阻爐高溫冶(ye)煉而(er)成(cheng)。碳(tan)化硅在(zai)大自(zi)然也存(cun)在(zai)罕見(jian)的礦物,莫桑石(shi)。碳(tan)化硅又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化硅;物理性(xing)質(zhi)(zhi)性(xing)狀:綠(lv)(lv)(lv)色(se)藍(lan)黑色(se)結(jie)晶(jing)性(xing)粉末.含雜(za)質(zhi)(zhi)的碳(tan)化硅為綠(lv)(lv)(lv)色(se),固性(xing)狀:綠(lv)(lv)(lv)色(se)藍(lan)黑色(se)結(jie)晶(jing)性(xing)粉末.含雜(za)質(zhi)(zhi)的碳(tan)化硅為綠(lv)(lv)(lv)色(se),固溶有炭(tan)和金屬氧化物雜(za)質(zhi)(zhi)呈黑色(se)。密。
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論(lun)文天下提供的<二(er)次(ci)(ci)離(li)子質譜(pu)分析(xi)碳化硅(gui)中釩(fan)雜質含量(liang)的研究;論(lun)文包括碳化硅(gui)二(er)次(ci)(ci)離(li)子質譜(pu)釩(fan)摻(chan)雜定量(liang)分析(xi)二(er)次(ci)(ci)離(li)子質譜(pu)分析(xi)離(li)子注入(ru)樣品等其他(ta)相關(guan)內容論(lun)文。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月24日(ri)-碳(tan)(tan)化硅俗稱金剛石(shi),又稱碳(tan)(tan)硅石(shi),主要用作耐(nai)磨材(cai)料,耐(nai)火(huo)材(cai)料,核(he)反(fan)應(ying)堆材(cai)料及制(zhi)造電阻(zu)發熱硅碳(tan)(tan)棒(管(guan)),半導(dao)體元件(jian),C二級管(guan),晶體管(guan),電器元件(jian),火(huo)箭噴(pen)管(guan)等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領域:新能(neng)源光伏需(xu)(xu)求類型:技(ji)術服務(wu)需(xu)(xu)求編號:189-07制粉(fen)是碳化硅微粉(fen)生產中的(de)重要工序,但由(you)于碳化硅的(de)硬度較高(gao),其莫(mo)氏硬度為9.5級,在莫(mo)氏硬度標準中僅低于金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用(yong)ICP-MS法對高純碳化硅粉表面(mian)的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕(hen)量雜質進行測定,用(yong)氫氟酸(suan)溶液(ye)浸提試樣(yang)表面(mian)雜質,用(yong)釔做內標(biao)補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種無TiC雜質相(xiang)的(de)碳化硅鈦陶(tao)瓷(ci)(ci)粉(fen)(fen)體(ti)的(de)合成(cheng)方法(fa),其特征(zheng)在于:(1)以Ti粉(fen)(fen)、Si粉(fen)(fen)和TiC本(ben)發明公開了一種低成(cheng)本(ben)無TiC雜質相(xiang)的(de)碳化硅鈦陶(tao)瓷(ci)(ci)粉(fen)(fen)體(ti)的(de)常壓(ya)合成(cheng)方法(fa),。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市金蒙(meng)碳(tan)(tan)化(hua)硅有限公司(si)是一家擁有國內先(xian)進的碳(tan)(tan)化(hua)硅微(wei)(wei)粉(fen)(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)硅,綠碳(tan)(tan)化(hua)硅,綠碳(tan)(tan)化(hua)硅微(wei)(wei)粉(fen)(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)硅微(wei)(wei)粉(fen)(fen),碳(tan)(tan)化(hua)硅粒(li)度砂,生產線(xian)(xian)和工藝技術(shu),服務熱線(xian)(xian):400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月(yue)9日-碳化硅(gui)電(dian)(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)(dian)子器件(jian)研(yan)發(fa)進展與存在問題(ti),1引言借助(zhu)于微(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)子技(ji)術(shu)(shu)的長(chang)足發(fa)展,以硅(gui)器件(jian)為基礎的電(dian)(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)(dian)子技(ji)術(shu)(shu)因大功率(lv)場(chang)效應晶體(ti)管(guan)(功率(lv)MOS)和絕緣(yuan)柵雙極晶體(ti)。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游(you)離硅。它一部分(fen)溶(rong)解于SiC晶(jing)(jing)體(ti)中,一部分(fen)與其(qi)雜質(如鐵(tie)、鋁、鈣等)形(xing)成合金(jin)而粘附于晶(jing)(jing)體(ti)上或(huo)嵌在(zai)(zai)晶(jing)(jing)體(ti)中。2、游(you)離二氧化(hua)硅。通常存(cun)在(zai)(zai)于晶(jing)(jing)體(ti)表面。大都是由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基(ji)態施主(zhu)能級分裂對雜質(zhi)電(dian)離的影響,與(yu)溫(wen)度(du)(du)、摻雜濃度(du)(du)和雜質(zhi)能級深度(du)(du)的關系進行了(le)系統研究。發現只(zhi)有在高溫(wen)且摻雜濃度(du)(du)低的情(qing)況下,能級分裂的影響很小(xiao)可(ke)忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮(dan)化硅結合碳(tan)化硅材料(liao)反應(ying)燒結時(shi)的雜質相行為分析,郝小(xiao)勇;-陶瓷工程1998年第03期在線閱讀、文章(zhang)下載。<正;l前(qian)言Si3N4結合SIC材料(liao)的研(yan)究近年來在國內發展較快,該(gai)。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分析了Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材料反應(ying)燒結(jie)(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相(xiang)(xiang)的(de)反應(ying)行為(wei)。氮化硅(gui)結(jie)(jie)合碳化硅(gui)材料反應(ying)燒結(jie)(jie)時的(de)雜質(zhi)相(xiang)(xiang)行為(wei)分析前言:分析了Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖(tu)文(wen)]目前,國內使用(yong)的(de)切割(ge)(ge)液和碳化(hua)硅微粉在線(xian)切割(ge)(ge)過(guo)程中(zhong),砂漿中(zhong)不可避(bi)免的(de)會混(hun)入硅粉、鐵、高聚物等雜質,部分碳化(hua)硅微粉也會因切割(ge)(ge)作(zuo)用(yong)而出現破損,產生的(de)廢砂漿很難繼(ji)續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化(hua)硅結(jie)(jie)合碳(tan)化(hua)硅材(cai)料(liao)反應(ying)燒(shao)結(jie)(jie)時(shi)的(de)雜(za)質相行(xing)(xing)為(wei)分析(xi)-分析(xi)了Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材(cai)料(liao)反應(ying)燒(shao)結(jie)(jie)時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質相的(de)反應(ying)行(xing)(xing)為(wei)。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳(tan)化硅(gui)質泡沫(mo)陶瓷(ci)過(guo)(guo)濾(lv)(lv)(lv)片,去孔,濾(lv)(lv)(lv)渣,吸附雜質泡沫(mo)陶瓷(ci)過(guo)(guo)濾(lv)(lv)(lv)片簡(jian)介泡沫(mo)陶瓷(ci)過(guo)(guo)濾(lv)(lv)(lv)器的過(guo)(guo)濾(lv)(lv)(lv)機理:整流(liu)作(zuo)用:在澆(jiao)鑄系統(tong)中(zhong)放置泡沫(mo)陶瓷(ci)過(guo)(guo)濾(lv)(lv)(lv)片后,金屬液(ye)流(liu)阻力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博(bo)鑄泰碳素(su)有限公(gong)司碳化(hua)硅(gui)簡(jian)介:碳化(hua)硅(gui)英文名稱(cheng):siliconcarbide,俗稱(cheng)金剛砂。純碳化(hua)硅(gui)是無(wu)色透明的晶(jing)體。工業碳化(hua)硅(gui)因所含雜(za)質的種(zhong)類(lei)和(he)含量(liang)不(bu)同,而呈(cheng)淺黃、綠(lv)、藍。